На главную страницу

Специальные III-N гетероструктуры

Все, что можно вырастить, но трудно купить


ООО "Монолюм" специализируется на разработке и поставке опытных партий нестандартных III-N эпитаксиальных гетероструктур для различных применений.

Используемая нами технология эпитаксиального роста - МОС-гидридная эпитаксия (MOVPE).

Гетероструктуры могут быть выращены на подложках Al2O3, SiC, Si диаметром 2 дюйма, 3 дюйма или 100 мм.

Эпитаксиальные структуры могут содержать слои GaN, InGaN, AlGaN, AlN и могут быть закрыты осажденным in-situ слоем Si3N4 толщиной от 0.5 до 100 нм.

Возможно легирование эпитаксиальных слоев кремнием, магнием, углеродом и железом.